1. 光刻機(jī)的結(jié)構(gòu)及光刻原理

duv光刻機(jī)原理是經(jīng)過(guò)硅片表面清洗、烘干、旋涂光刻膠、干燥、對(duì)準(zhǔn)曝光、去膠、清洗、轉(zhuǎn)移等眾多工序完成的。經(jīng)過(guò)一次光刻的芯片還可以繼續(xù)涂膠、曝光。越復(fù)雜的芯片，線路圖的層數(shù)就越多，而且也需要更精密的曝光控制過(guò)程。

2. 光刻機(jī)的結(jié)構(gòu)及光刻原理圖

光刻機(jī)是半導(dǎo)體技術(shù)。光刻機(jī)是芯片制造中光刻環(huán)節(jié)的核心設(shè)備， 技術(shù)含量、價(jià)值含量極高。 光刻機(jī)涉及系統(tǒng)集成、精密光學(xué)、精密運(yùn)動(dòng)、精密物料傳輸、高精度微環(huán)境控制等多項(xiàng)先進(jìn)技術(shù)，是所有半導(dǎo)體制造設(shè)備中技術(shù)含量最高的設(shè)備。在整個(gè)芯片制造工藝中，幾乎每個(gè)工藝的實(shí)施，都離不開(kāi)光刻的技術(shù)。光刻也是制造芯片的最關(guān)鍵技術(shù)，他占芯片制造成本的35%以上。

3. 光刻機(jī) 結(jié)構(gòu)

光刻機(jī)極限是1納米。

現(xiàn)有芯片制造的原材料是硅，也就是我們常說(shuō)的硅芯片。一塊非常小的芯片實(shí)際上整合了數(shù)以億計(jì)的晶體管，每個(gè)晶體可看作是一個(gè)可控的電子開(kāi)關(guān)，晶體管由源極、漏極和位于他們之間的柵極所組成，電流從源極流入漏極，柵極則起到控制電流通斷的作用，從而產(chǎn)生0 1數(shù)字信號(hào)，在目前的芯片中，連接晶體管源極和漏極的是硅元素。

然而隨著晶體管尺寸的不斷縮?。壳耙训?nm），源極和柵極間的溝道也在不斷縮短，當(dāng)溝道縮短到一定程度的時(shí)候，量子隧穿效應(yīng)就會(huì)變得極為容易，換言之，就算是沒(méi)有加電壓，源極和漏極都可以認(rèn)為是互通的，那么晶體管就失去了本身開(kāi)關(guān)的作用，因此也沒(méi)法實(shí)現(xiàn)邏輯電路。

4. 光刻機(jī)的基本原理

光刻機(jī)（Mask Aligner）又名：掩模對(duì)準(zhǔn)曝光機(jī)，曝光系統(tǒng)，光刻系統(tǒng)等，是制造芯片的核心裝備。它采用類似照片沖印的技術(shù)，把掩膜版上的精細(xì)圖形通過(guò)光線的曝光印制到硅片上。光刻機(jī)的種類可分為：接觸式曝光、接近式曝光、投影式曝光。

光刻機(jī)的工作原理是通過(guò)一系列的光源能量、形狀控制手段，將光束透射過(guò)畫(huà)著線路圖的掩模，經(jīng)物鏡補(bǔ)償各種光學(xué)誤差，將線路圖成比例縮小后映射到硅片上。然后使用化學(xué)方法顯影，得到刻在硅片上的電路圖。一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對(duì)準(zhǔn)曝光、后烘、顯影、硬烘、激光刻蝕等工序。光刻機(jī)的制造和維護(hù)需要高度的光學(xué)和電子工業(yè)基礎(chǔ)，因此，世界上只有少數(shù)廠家掌握。

5. 光刻機(jī)的光學(xué)原理

曝光是利用光照將掩模版上的圖形經(jīng)過(guò)光學(xué)系統(tǒng)后投影到光刻膠上，實(shí)現(xiàn)圖形轉(zhuǎn)移，是集成電路制造中光刻工藝的重要工序之一。

照明光源發(fā)出的光線經(jīng)匯聚透鏡照射在掩模版上，透過(guò)掩模版產(chǎn)生衍射光束，這些衍射光束攜帶了掩模版上的圖形信息，光束經(jīng)過(guò)投影透鏡聚焦到晶圓表面，在晶圓表面形成掩模圖形的像。

6. 光刻機(jī)結(jié)構(gòu)及工作原理

光刻機(jī)(Mask Aligner) 又名:掩模對(duì)準(zhǔn)曝光機(jī)，曝光系統(tǒng)，光刻系統(tǒng)等。常用的光刻機(jī)是掩膜對(duì)準(zhǔn)光刻，所以叫 Mask Alignment System.

一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對(duì)準(zhǔn)曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。

Photolithography(光刻) 意思是用光來(lái)制作一個(gè)圖形(工藝);

在硅片表面勻膠，然后將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移光刻膠上的過(guò)程將器件或電路結(jié)構(gòu)臨時(shí)"復(fù)制"到硅片上的過(guò)程。

7. 光刻機(jī)的結(jié)構(gòu)及光刻原理是什么

如果想達(dá)到比光刻機(jī)極限尺寸更小的尺寸，有一些比較巧妙的方法，供你參考。第一種，光刻膠刻蝕法。用正膠光刻，光刻膠涂厚點(diǎn)，比如光刻出1.5微米的線條，然后用去膠機(jī)(氧等離子體)刻光刻膠，然后光刻圖形會(huì)縮小，如果吃掉0.5微米的光刻膠，那么就可以做出0.5微米的線條了。第二種，側(cè)墻(spacer)的方法。就是用光刻臺(tái)階-保形淀積-刻蝕 形成spacer，一般來(lái)說(shuō)可以做到一二百納米的線條。第三種，氧化的方法。如果是做Si基的器件，可以先刻蝕出線條，再用熱氧化-腐蝕氧化層的方法進(jìn)一步減小線條尺寸。

這三種方法是研究中比較常見(jiàn)的辦法，比較巧妙，但是工藝略微復(fù)雜，耗費(fèi)的精力比較多，器件的穩(wěn)定性和一致性會(huì)有所損失。如果要做更小的尺寸，可以考慮用電子束光刻機(jī)，這個(gè)比較快出結(jié)果，但是花費(fèi)多一些，光刻面積的效率比較低。

8. 光刻機(jī)原理圖

5n川光刻機(jī)和刻蝕機(jī)的區(qū)別主要表現(xiàn)在三個(gè)方面:

一、難度:光刻機(jī)難，刻蝕機(jī)難。

　　原理:光刻機(jī)打印圖紙，刻蝕機(jī)根據(jù)打印的圖案蝕刻掉有圖案/無(wú)圖片的部分，剩下的留下。

　　第三，流程操作不同

　　(1)掩模版對(duì)準(zhǔn):利用光化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)物理刻蝕方法，將掩模版上的電路圖形轉(zhuǎn)移到單晶的表面或介質(zhì)層上，形成有效的圖形窗口或功能圖形。在晶圓表面，電路設(shè)計(jì)圖案直接由光刻技術(shù)決定，因此光刻技術(shù)也是芯片制造中的核心環(huán)節(jié)。

　　(2)、刻蝕機(jī):通過(guò)化學(xué)和物理的方法，將顯影后的電路圖永久準(zhǔn)確地留在晶圓上，選擇性地去除硅片上不需要的材料。有兩種蝕刻方法，濕法蝕刻和干法蝕刻。

　　光刻機(jī)又稱掩模對(duì)準(zhǔn)曝光機(jī)、曝光系統(tǒng)、光刻系統(tǒng)等。

　　通常，光刻工藝須經(jīng)歷清洗和干燥硅片表面、涂底漆、旋涂光刻膠、軟烘烤、對(duì)準(zhǔn)曝光、后烘烤、顯影、硬烘烤和蝕刻的過(guò)程。

　　刻蝕機(jī)等離子，又稱等離子蝕刻機(jī)、等離子平面刻蝕機(jī)、等離子刻蝕機(jī)、等離子表面處理器、等離子清洗系統(tǒng)等。

　　等離子蝕刻是較常見(jiàn)的干法蝕刻形式。其原理是暴露在電子區(qū)的氣體形成等離子體，產(chǎn)生的電離氣體和釋放的高能電子組成的氣體形成等離子體或離子。當(dāng)電離的氣體原子被電場(chǎng)加速時(shí)，它們會(huì)釋放出足夠的力，緊緊地附著在材料上，或者利用表面斥力刻蝕表面。

9. 光刻機(jī)制造原理

正性光刻膠也稱為正膠。正性光刻膠樹(shù)脂是一種叫做線性酚醛樹(shù)脂的酚醛甲醛，提供光刻膠的粘附性、化學(xué)抗蝕性，當(dāng)沒(méi)有溶解抑制劑存在時(shí)，線性酚醛樹(shù)脂會(huì)溶解在顯影液中，感光劑是光敏化合物，最常見(jiàn)的是重氮萘醌（DNQ）。

在曝光前，DNQ是一種強(qiáng)烈的溶解抑制劑，降低樹(shù)脂的溶解速度。

在紫外曝光后，DNQ在光刻膠中化學(xué)分解，成為溶解度增強(qiáng)劑，大幅提高顯影液中的溶解度因子至100或者更高。

這種曝光反應(yīng)會(huì)在DNQ中產(chǎn)生羧酸，它在顯影液中溶解度很高。

正性光刻膠具有很好的對(duì)比度，所以生成的圖形具有良好的分辨率。