1. 光刻的參數(shù)

處理器編號 i5-10210U

光刻 14 nm

性能

內(nèi)核數(shù) 4

線程數(shù) 8

處理器基本頻率 1.60 GHz

最大睿頻頻率 4.20 GHz

緩存 6 MB Intel? Smart Cache

總線速度 4 GT/s

TDP 15 W

可配置的 TDP-up 頻率 2.10 GHz

可配置的 TDP-up 25 W

可配置的 TDP-down 頻率 800 MHz

可配置的 TDP-down 10 W

2. 光刻參數(shù)影響

產(chǎn)品集第四代智能英特爾? 酷睿? i5 處理器

代號名稱先前產(chǎn)品為 Haswell

垂直市場Desktop

處理器編號i5-4690T

狀態(tài)Discontinued

發(fā)行日期 Q2'14

預期停產(chǎn) 07/14/2017

光刻 22 nm

CPU 規(guī)格

內(nèi)核數(shù) 4

線程數(shù) 4

最大睿頻頻率 3.50 GHz

英特爾? 睿頻加速技術 2.0 頻率? 3.50 GHz

處理器基本頻率 2.50 GHz

緩存 6 MB Intel? Smart Cache

總線速度 5 GT/s

TDP 45 W

補充信息

提供嵌入式方案 否

數(shù)據(jù)表

3. 光刻參數(shù) ST CD

　　激光的最初中文名叫做“鐳射”、“萊塞”，是它的英文名稱LASER的音譯，是取自英文Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation的各單詞的頭一個字母組成的縮寫詞。意思是“受激輻射的光放大”。

　　什么叫做“受激輻射”？它基于偉大的科學家愛因斯坦在1916年提出了的一套全新的理論。這一理論是說在組成物質(zhì)的原子中，有不同數(shù)量的粒子（電子）分布在不同的能級上，在高能級上的粒子受到某種光子的激發(fā)，會從高能級跳到（躍遷）到低能級上，這時將會輻射出與激發(fā)它的光相同性質(zhì)的光，而且在某種狀態(tài)下，能出現(xiàn)一個弱光激發(fā)出一個強光的現(xiàn)象。這就叫做“受激輻射的光放大”，簡稱激光。激光主要有四大特性：激光高亮度、高方向性、高單色性和高相干性。

　　激光的高亮度：固體激光器的亮度更可高達1011W／cm2Sr。不僅如此，具有高亮度的激光束經(jīng)透鏡聚焦后，能在焦點附近產(chǎn)生數(shù)千度乃至上萬度的高溫，這就使其可能可加工幾乎所有的材料。

　　激光的高方向性：激光的高方向性使其能在有效地傳遞較長的距離的同時，還能保證聚焦得到極高的功率密度，這兩點都是激光加工的重要條件

　　激光的高單色性：由于激光的單色性極高，從而保證了光束能精確地聚焦到焦點上，得到很高的功率密度。

　　激光的高相干性：相干性主要描述光波各個部分的相位關系。正是激光具有如上所述的奇異特性因此在工業(yè)加工中得到了廣泛地應用。

　　目前激光已廣泛應用到激光焊接、激光切割、激光打孔（包括斜孔、異孔、膏藥打孔、水松紙打孔、鋼板打孔、包裝印刷打孔等）、激光淬火、激光熱處理、激光打標、玻璃內(nèi)雕、激光微調(diào)、激光光刻、激光制膜、激光薄膜加工、激光封裝、激光修復電路、激光布線技術、激光清洗等。

　　經(jīng)過30多年的發(fā)展，激光現(xiàn)在幾乎是無處不在，它已經(jīng)被用在生活、科研的方方面面：激光針灸、激光裁剪、激光切割、激光焊接、激光淬火、激光唱片、激光測距儀、激光陀螺儀、激光鉛直儀、激光手術刀、激光炸彈、激光雷達、激光槍、激光炮……，在不久的將來，激光肯定會有更廣泛的應用。

　　激光武器是一種利用定向發(fā)射的激光束直接毀傷目標或使之失效的定向能武器。根據(jù)作戰(zhàn)用途的不同，激光武器可分為戰(zhàn)術激光武器和戰(zhàn)略激光武器兩大類。武器系統(tǒng)主要由激光器和跟蹤、瞄準、發(fā)射裝置等部分組成，目前通常采用的激光器有化學激光器、固體激光器、CO2激光器等。激光武器具有攻擊速度快、轉(zhuǎn)向靈活、可實現(xiàn)精確打擊、不受電磁干擾等優(yōu)點，但也存在易受天氣和環(huán)境影響等弱點。激光武器已有30多年的發(fā)展歷史，其關鍵技術也已取得突破，美國、俄羅斯、法國、以色列等國都成功進行了各種激光打靶試驗。目前低能激光武器已經(jīng)投入使用，主要用于干擾和致盲較近距離的光電傳感器，以及攻擊人眼和一些增強型觀測設備；高能激光武器主要采用化學激光器，按照現(xiàn)有的水平，今后5—10年內(nèi)可望在地面和空中平臺上部署使用，用于戰(zhàn)術防空、戰(zhàn)區(qū)反導和反衛(wèi)星作戰(zhàn)等。

　　激光的其它特性:

　　激光有很多特性：首先，激光是單色的，或者說是單頻的。有一些激光器可以同時產(chǎn)生不同頻率的激光，但是這些激光是互相隔離的，使用時也是分開的。其次，激光是相干光。相干光的特征是其所有的光波都是同步的，整束光就好像一個“波列”。再次，激光是高度集中的，也就是說它要走很長的一段距離才會出現(xiàn)分散或者收斂的現(xiàn)象。

　　激光（LASER）是上實際60年代發(fā)明的一種光源。LASER是英文的“受激放射光放大”的首字母縮寫。激光器有很多種，尺寸大至幾個足球場，小至一粒稻谷或鹽粒。氣體激光器有氦－氖激光器和氬激光器；固體激光器有紅寶石激光器；半導體激光器有激光二極管，像CD機、DVD機和CD-ROM里的那些。每一種激光器都有自己獨特的產(chǎn)生激光的方法。

4. 光刻機參數(shù)

nm即納米，長度單位，目前市場上的芯片都是納米級的，最好的芯片是5nm工藝制程，也就是晶體管的寬度（也叫線寬）是5nm，那么5nm有多大呢？就是把一根頭發(fā)剖成1萬根，其中1根的直徑就是5nm。

芯片分為設計、制作、封裝測試，其中最難的就是制作，芯片光刻的難度好比是在一粒大米上雕刻清明上河圖，而且還是在運動過程中雕刻。而且要使用先進的設備—光刻機。

10nm芯片普通光刻機即可制作，而7nm、5nm芯片就要使用AMSL公司的EUV光刻機，那么EUV光刻機制作難度有多大呢？

最先進的EUV光刻機，有10萬零件，4萬螺栓，3000多條線路，軟管加起來兩公里長。設備重180噸，發(fā)貨需要40個貨柜，20輛卡車，價格高達1.2億美元。而且都是提前預付款，然后排隊，可以說就算有錢也未必買的到。

光刻機到位后，組裝需要1年時間，調(diào)參數(shù)、調(diào)模塊，一切準備好后，開始光刻晶圓，前前后后、大大小小幾千次光刻，每次光刻的合格率必須達到99.99%，否則幾千次光刻累計的誤差批量生產(chǎn)后，會有大量的不合格產(chǎn)品，良品率過低，就意味著虧錢。

所以說5nm芯片制作相比10nm，難度是指數(shù)級別的增長。

5. 光刻有哪些特征參數(shù)

光刻膠的性能因素已經(jīng)被詳細地說明了，AD9927BBCZRL基本光刻十步法工藝每一步都和光刻膠的物理性質(zhì)和化學性質(zhì)有一定聯(lián)系。而這些性質(zhì)都受光刻膠生產(chǎn)商的嚴格控制。

固體含量

光刻膠是一種液體，它通過旋轉(zhuǎn)的方式涂到晶圓表面。光刻膠留在晶圓表面的厚度是由涂膠工藝的參數(shù)和光刻膠的屬性——固體含量( solid content)和黏度(viscosity)來決定的。

光刻膠是由聚合物、光敏劑和添加劑混合在溶劑中構(gòu)成的。不同的光刻膠會包含有不同數(shù)量的固體物。這個數(shù)量指的是光刻膠的固體含量，它是由光刻膠中質(zhì)量百分比來表示的。固體含量的范圍通常在20%—40%之間3j。

黏度是液體流動數(shù)量上的測量。高黏度液體流動較慢，如拖拉機油。低黏度液體比較容易流動，如水。對于這兩種情況，流動的機理是一樣的。當液體被灌注時，液體中的分子之間相互滾動。當分子滾動時，它們之間存在一種引力。這種引起到了一種類似于內(nèi)部摩擦力的作用。黏度就是這種摩擦力的度量。

黏度可以通過幾種不同的技術方法來測量。大多光刻膠生產(chǎn)商是通過在光刻膠中轉(zhuǎn)動葉片來測量黏度的。黏度越高．在恒定速度下轉(zhuǎn)動葉片所需要的力就越大。旋轉(zhuǎn)葉片的測量方法說明了黏度的力相關性。

黏度的單位是厘泊( centipoise)①（1 poise的百分之一）。它以法國科學家Poisseulle的名字命名，他研究了流體的黏滯流動。1 poise等于每厘米l達因(dyne)秒。黏度單位厘泊更準確地說明了絕對黏度( absolute viscosity)。

另外一種單位稱為運動黏度( kinematic viscosity)，它是厘斯(centistoke)②，是由絕對黏度（厘泊）除以光刻膠密度而得到的。黏度會隨著溫度的變化而變化；因此，它的指定值是在特

定溫度條件下聲明的，通常是25℃。黏度是在涂膠工藝中決定光刻膠厚度的主要參數(shù)。黏度和光刻膠固體含量密切相關。固體含量越高，光刻膠黏度就越高。

6. 光刻的參數(shù)是什么

厚。

AZ光刻膠特點：

適用于高分辨率工藝（lift-off工藝）

適用于正/負圖形

很寬的膜厚范圍

AZ光刻膠工藝條件：

前烘：100℃ 60秒 (DHP)

曝光：1線步進式曝光機/接觸式曝光機

反轉(zhuǎn)烘烤：110~125℃ 90秒（DHP）：去離子水30秒

全面曝光：310~405nm(在曝光光源下全面照射)

顯影：AZ300MIF顯影液 (2.38%) 23℃ 30~60秒 Puddle

AZ Developer(1:1)23℃ 60秒Dipping

AZ 400K(1:4)23℃ 60秒Dipping

清洗：去離子水30秒

后烘：120℃ 120秒（DHP）

剝離：AZ剝離液及/或氧等離子體灰化

AZ光刻膠刻蝕厚度從1μm到150μm以及更厚。高感光度,高產(chǎn)出率；高附著性,特別為濕法刻蝕工藝改進；廣泛應用于全球半導體行業(yè)。

光刻膠產(chǎn)品型號及參數(shù)

光刻膠名稱 型號 勻膠厚度

Merck AZ 正/負可轉(zhuǎn)換型光刻膠 AZ 5214 0.5-6um

AZ 50XT 正膠 AZ 50XT 40-80um

AZ 9260 正膠 AZ 9260 6.2-15um

AZ 4620 光刻膠 AZ 4620 10-15um

MicroChem SU-8 負膠 SU-8 2015 13-38um

MicroChem SU-8 負膠 SU-8 2050 40-170um

MicroChem SU-8 負膠 SU-8 2075 60-240um

MicroChem SU-8 負膠 SU-8 2150 190-650um

MicroChem SU-8 負膠 SU-8 3010 8-15um

MicroChem SU-8 負膠 SU-8 3050 44-100um

AZ光刻膠其他參數(shù)及說明：

7. 光刻機性能參數(shù)

光刻機的精度主要取決于光源波長、物鏡分辨率、雙工臺精度等。

目前全球唯一高端光刻機制造商是荷蘭阿斯麥爾公司生產(chǎn)的euv13.5納米極紫外光光源光刻機，該光刻機是目前全球精度最高的，這是集合了全球頂尖技術組合而成的，其零部件多達十萬個，每年產(chǎn)量不超過五十臺，從整機安裝調(diào)試到開始生產(chǎn)要長達一年時間之久，可見該設備的復雜性，任何一個環(huán)節(jié)出現(xiàn)問題都足以影響該設備的精度。而且13.5納米的光源屬于第五代，和中端193納米光源的第四代精度相差巨大，所以光源作為最主要的核心部件之一，對精度有決定性影響。再有就是物鏡的分辨率，物鏡可以達到高2米直徑1米，甚至更大。光刻機的整個曝光光學系統(tǒng)，由數(shù)十塊鍋底大的鏡片串聯(lián)組成，其光學零件精度控制在幾個納米以內(nèi)，目前光刻機鏡頭最強大的是老牌光學儀器公司德國蔡司，其制造的物鏡分辨率是全球第一的。