1. gh4對(duì)焦怎么樣

需要使用支持4K錄制的攝像機(jī)，選擇4K分辨率模式，然后根據(jù)需要進(jìn)行調(diào)整攝像機(jī)設(shè)置，例如曝光、對(duì)焦等。在攝制過(guò)程中，需要注意穩(wěn)定攝像機(jī)，保持畫(huà)面清晰不抖動(dòng)。建議使用三腳架或穩(wěn)定器等輔助工具。此外，后期裁剪也是得到高清4K畫(huà)面的有效手段，可根據(jù)實(shí)際需求采取相應(yīng)方法。

2. gh4手動(dòng)對(duì)焦

這顆鏡頭支持自動(dòng)對(duì)焦, 相機(jī)設(shè)置成AF模式即可

3. gh4鏡頭最佳搭配

GH4不帶機(jī)身防抖，只能依靠鏡頭實(shí)現(xiàn)防抖功能，所以更傾向于使用原廠到防抖鏡頭。GH系列發(fā)展到3以后越來(lái)越像攝像機(jī)了。個(gè)人覺(jué)得還是G85更好一些，擁有5軸機(jī)身防抖。

4. gh4 對(duì)焦

 松下GH4包含電池和存儲(chǔ)卡的重量是560g,僅機(jī)身的重量是480克。

2014 年 2 月，Panasonic Lumix DMC-GH4 是一款 16.0MP 專(zhuān)業(yè)無(wú)反光鏡相機(jī)，配備四分之四 (17.3 x 13 毫米) 尺寸的 CMOS 傳感器、全天候密封機(jī)身、全鉸 接式觸摸屏和微型四分之三鏡頭卡口。松下用這個(gè)型號(hào)替換了舊的松下 GH3，后來(lái) GH4 被松下 GH5 替換。

主要特點(diǎn)：

16MP - 四分之四 CMOS 傳感器

ISO 200 - 25600

3 全鉸接式屏幕

2359k點(diǎn)電子取景器

12.0fps 連拍

4K (DCI) - 4096 x 2160 視頻

10-bit 4:2:2 at 4K 通過(guò) HDMI 視頻錄制，內(nèi)置無(wú)線，560克。133 x 93 x 84 毫米

天氣密封體

5. gh4自動(dòng)對(duì)焦能力

2022年買(mǎi)松下g85值得。

松下G85采用了1600萬(wàn)像素、Live MOS傳感器和維納斯引擎的組合，此外結(jié)合松下以往的比較優(yōu)秀的設(shè)計(jì)，比如翻轉(zhuǎn)式觸摸屏、五軸防抖、4K photo、4K視頻、防塵防濺等，以及堪比GH4的自動(dòng)對(duì)焦性能，金屬機(jī)身……這些特點(diǎn)都給了用戶(hù)一種GH系列的感覺(jué)。

6. gh5s 對(duì)焦

1打開(kāi)手機(jī)，一般相機(jī)功能在常用工具欄里，點(diǎn)擊打開(kāi)；

2打開(kāi)相機(jī)界面，一般是后置攝像頭的拍照或者錄像界面，右側(cè)默認(rèn)是1×，無(wú)變焦，向下滑動(dòng)圓圈；

3圓圈滑動(dòng)到底就是廣角模式了，拍攝范圍更寬廣，點(diǎn)擊屏幕對(duì)焦，然后點(diǎn)擊下方的拍照按鈕即可，點(diǎn)擊右下角的轉(zhuǎn)換攝像頭；

4前置攝像頭操作界面默認(rèn)是人像，右側(cè)默認(rèn)是1×，無(wú)變焦，向下滑動(dòng)圓圈；

5圓圈滑動(dòng)到底就是廣角模式了，主要用于多人物拍照時(shí)使用，點(diǎn)擊屏幕對(duì)焦，然后點(diǎn)擊下方的拍照按鈕即可

7. gh5s對(duì)焦速度調(diào)整

松下GH5S是一款專(zhuān)業(yè)的微單相機(jī)，適合拍攝高質(zhì)量的視頻。以下是設(shè)置視頻參數(shù)的步驟：

1. 打開(kāi)相機(jī)，進(jìn)入菜單界面。

2. 選擇“視頻”選項(xiàng)，進(jìn)入視頻設(shè)置界面。

3. 在“視頻設(shè)置”界面中，可以設(shè)置視頻的分辨率、幀率、編碼格式等參數(shù)。建議選擇較高的分辨率和幀率，以獲得更清晰、流暢的視頻效果。

4. 在“曝光設(shè)置”中，可以設(shè)置曝光模式、快門(mén)速度、ISO等參數(shù)。建議選擇手動(dòng)曝光模式，以便更好地控制曝光效果。

5. 在“對(duì)焦設(shè)置”中，可以選擇自動(dòng)對(duì)焦或手動(dòng)對(duì)焦模式。對(duì)于拍攝視頻，建議選擇手動(dòng)對(duì)焦模式，以便更好地控制焦點(diǎn)位置和深度。

6. 在“音頻設(shè)置”中，可以設(shè)置錄音模式、麥克風(fēng)增益等參數(shù)。建議使用外置麥克風(fēng)，以獲得更好的音頻效果。

7. 在“圖像設(shè)置”中，可以設(shè)置色彩模式、白平衡等參數(shù)。建議選擇適合拍攝場(chǎng)景的色彩模式和白平衡模式，以獲得更準(zhǔn)確的色彩還原效果。

以上是設(shè)置松下GH5S視頻參數(shù)的基本步驟，具體設(shè)置方法和參數(shù)選擇應(yīng)根據(jù)實(shí)際拍攝需求和場(chǎng)景進(jìn)行調(diào)整。

8. gh4鏡頭推薦

GH4是一款為了攝像而出的機(jī)器；體積小，重量低，對(duì)焦速度快，快門(mén)反應(yīng)迅速，4K攝像功能強(qiáng)大； 關(guān)于鏡頭，因?yàn)镚H4是M43系統(tǒng)，所以鏡頭可以看一下奧林巴斯的鏡頭，奧林巴斯在M43領(lǐng)域是老大，沒(méi)有人能超越，而且?jiàn)W林巴斯光學(xué)也是非常好的；

9. gh6對(duì)焦

清洗

集成電路芯片生產(chǎn)的清洗包括硅片的清洗和工器具的清洗。由于半導(dǎo)體生產(chǎn)污染要求非常嚴(yán)格，清洗工藝需要消耗大量的高純水；且為進(jìn)行特殊過(guò)濾和純化廣泛使用化學(xué)試劑和有機(jī)溶劑。

在硅片的加工工藝中，硅片先按各自的要求放入各種藥液槽進(jìn)行表面化學(xué)處理，再送入清洗槽，將其表面粘附的藥液清洗干凈后進(jìn)入下一道工序。常用的清洗方式是將硅片沉浸在液體槽內(nèi)或使用液體噴霧清洗，同時(shí)為有更好的清洗效果，通常使用超聲波激勵(lì)和擦片措施，一般在有機(jī)溶劑清洗后立即采用無(wú)機(jī)酸將其氧化去除，最后用超純水進(jìn)行清洗，工具的清洗基本采用硅片清洗同樣的方法2、熱氧化，熱氧化是在800~1250℃高溫的氧氣氛圍和惰性攜帶氣體（N2）下使硅片表面的硅氧化生成二氧化硅膜的過(guò)程，產(chǎn)生的二氧化硅用以作為擴(kuò)散、離子注入的阻擋層，或介質(zhì)隔離層。

2、熱氧化

熱氧化是在800~1250℃高溫的氧氣氛圍和惰性攜帶氣體（N2）下使硅片表面的硅氧化生成二氧化硅膜的過(guò)程，產(chǎn)生的二氧化硅用以作為擴(kuò)散、離子注入的阻擋層，或介質(zhì)隔離層。典型的熱氧化化學(xué)反應(yīng)為：Si + O2 → SiO2

3、擴(kuò)散

擴(kuò)散是在硅表面摻入純雜質(zhì)原子的過(guò)程。通常是使用乙硼烷（B2H6）作為N－源和磷烷（PH3）作為P+源。工藝生產(chǎn)過(guò)程中通常分為沉積源和驅(qū)趕兩步。

4、離子注入

離子注入也是一種給硅片摻雜的過(guò)程。它的基本原理是把摻雜物質(zhì)（原子）離子化后，在數(shù)千到數(shù)百萬(wàn)伏特電壓的電場(chǎng)下得到加速，以較高的能量注入到硅片表面或其它薄膜中。經(jīng)高溫退火后，注入離子活化，起施主或受主的作用。

5、光刻

光刻包括涂膠、曝光、顯影等過(guò)程。涂膠是通過(guò)硅片高速旋轉(zhuǎn)在硅片表面均勻涂上光刻膠的過(guò)程；曝光是使用光刻機(jī)，并透過(guò)光掩膜版對(duì)涂膠的硅片進(jìn)行光照，使部分光刻膠得到光照，另外，部分光刻膠得不到光照，從而改變光刻膠性質(zhì)；顯影是對(duì)曝光后的光刻膠進(jìn)行去除，由于光照后的光刻膠和未被光照的光刻膠將分別溶于顯影液和不溶于顯影液。

6、濕法腐蝕和等離子刻蝕

通過(guò)光刻顯影后，光刻膠下面的材料要被選擇性地去除，使用的方法就是濕法腐蝕或干法刻蝕。濕法腐蝕或干法刻蝕后，要去除上面的光刻膠。

反應(yīng)的方法對(duì)基材腐蝕的過(guò)程，去除不同的物質(zhì)使用不同的材料。對(duì)不同的對(duì)象，典型使用的腐蝕材料為：

腐蝕硅(Si) —— 使用氫氟酸加硝酸（HF + HNO3）

腐蝕二氧化硅(SiO2) —— 使用氫氟酸（HF）

腐蝕氮化硅(Si3N4) —— 使用熱磷酸（熱H3PO4）

干法刻蝕是在等離子氣氛中選擇性腐蝕基材的過(guò)程，刻蝕氣氛通常含有F等離子體或碳等離子體，因此刻蝕氣體通常使用CF4類(lèi)的氣體。

7、化學(xué)氣相沉積（CVD）

CVD被使用來(lái)在硅片上沉積氧化硅、氮化硅和多晶硅等半導(dǎo)體器件材料，是在300~900℃的溫度下通過(guò)化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生以上物質(zhì)的過(guò)程。典型的化學(xué)反應(yīng)為：

SiH4 + O2 → SiO2 + 2 H2O

生長(zhǎng)過(guò)程中摻磷時(shí)加磷烷的反應(yīng)為：

4 PH3 + 5 O2 → 2 P2O5 + 6 H2

SiH2Cl2 +2 N2O → SiO2 + 2 N2 + 2 HCl

化學(xué)氣相沉積根據(jù)CVD反應(yīng)的氣氛和氣壓可分為低壓CVD（LPCVD）、常壓CVD（APCVD）和離子增強(qiáng)CVD（PECVD）等。

8、金屬沉積

在硅基片上沉積金屬以作為電路的內(nèi)引線的方法有蒸發(fā)、濺射、CVD等，亞微米集成電路生產(chǎn)通常采用濺射的方法。鋁是常用的金屬沉積材料，其它的材料包括金、鈦、鉬、鎢、鈦鎢合金、鈀、銅也在一些器件上采用。

9、化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）

CMP是類(lèi)似機(jī)械拋光的一種拋光方式，一般用于具有三層或更多層金屬的集成電路芯片制造生產(chǎn)。在已形成圖案的芯片上進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光，使之形成平整平面，以減輕多層結(jié)構(gòu)造成的嚴(yán)重不平的表面形態(tài)，滿(mǎn)足光刻時(shí)對(duì)焦深的要求。

10、背面減?。˙G）

在芯片的生產(chǎn)過(guò)程中，芯片太薄不利于芯片生產(chǎn)。通常在芯片生產(chǎn)結(jié)束后，用細(xì)砂輪將芯片的背面進(jìn)行研削，使芯片減至一定的厚度。